Según los informes, Samsung quería construir un potente chip insignia que pudiera competir con el conjunto de chips Snapdragon 8 Gen 3 de próxima generación de Qualcomm. para que pueda reemplazar los AP Snapdragon utilizados para impulsar la línea Galaxy S23 con el SoC Exynos 2400 en la serie insignia Galaxy S24 del próximo año. Hacer esto permitiría a Samsung volver a su práctica anterior de equipar todos sus teléfonos Galaxy S fuera de América del Norte y China con su silicio Exynos.
Obtener los chips Exynos internamente obviamente le ahorraría mucho dinero a Samsung, especialmente considerando la política de «sin licencia, sin chips» de Qualcomm. Y Samsung supuestamente planea usar este dinero encontrado para aumentar el almacenamiento en el Galaxy S24 básico a 256 GB, igualando a los otros modelos. Y se rumorea que el Galaxy S24 y el Galaxy S24+ están equipados con 12 GB de RAM, frente a los 8 GB de los modelos de este año. Y el Galaxy S24 Ultra debería ver la memoria RAM aumentada a 16 GB de 8 GB en la versión de 256 GB, 12 GB en el modelo de 512 GB.

Antes de dejarnos llevar, el Snapdragon 8 Gen 3 es realmente el conjunto de chips con el que el Exynos 2400 necesita enfrentarse para ver si Samsung puede ahorrar algo de dinero y mejorar las especificaciones de la serie Galaxy S24. Una comparación con el próximo A17 Bionic de Apple es solo para presumir y considerando que este último será preparado por TSMC usando su nodo de proceso de 3 nm, la comparación con el Exynos 2400 no será tan favorable para Samsung como la del A16 Bionic. .
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