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El otro día Pasamos algunas especificaciones rumoreadas sobre el SoC Snapdragon 8 Gen 3. Procedente de un informador de Twitter llamado RGcloudS, el procesador de aplicaciones (AP) de primera generación de Qualcomm vería que el núcleo de alto rendimiento X-4 obtendría un aumento del 15 % en la velocidad del reloj a 3,70 GHz, según el informador. . Pero otro tuiteste de un autoproclamado entusiasta de la tecnología y El fanático de Samsung, Revegnus, contenía algunas especificaciones rumoreadas diferentes para el conjunto de chips.

Ambos rumores dicen que Snapdragon 8 Gen 3 será fabricado por TSMC utilizando el nodo de proceso de 4nm de este último. Pero hay algunas diferencias importantes entre las especificaciones rumoreadas. Si bien RGcloudS espera que el próximo conjunto de chips presente 1 núcleo X-4 de alto rendimiento, 4 núcleos de rendimiento y 3 núcleos de eficiencia similares al Snapdragon 8 Gen 2, Revegnus ve una configuración 1-5-2.

Revegnus espera que el núcleo de alto rendimiento X-4 funcione a una velocidad de reloj de 3,20 GHz, que es la misma velocidad que el núcleo X-3 funciona en el chipset Gen 2 actual. También espera que el chip tenga 5 núcleos de rendimiento Cortex-A720 funcionando a 3,0 GHz. Y eso deja 2 núcleos de eficiencia Cortex-A520 funcionando a 2,0 GHz. Señala que el chip contará con la GPU Adreno 750, el módem Snapdragon X75 5G (con una mejora del 20 % en la eficiencia energética) y compatibilidad con RAM LPDDR5 y Universal Flash Storage (UFS) 4.1.

El conjunto de chips se puede encontrar bajo el capó de la serie Samsung Galaxy S24 el próximo año. El mes pasado te dijimos que Qualcomm podría presentar el SoC en octubre, lo que sería un mes antes que el anuncio de noviembre del año pasado que presentó el Snapdragon 8 Gen 2 SoC.

Una nota interesante. Es probable que ambos informantes estén al tanto de cómo se construirá el conjunto de chips. Teniendo en cuenta que Apple ha bloqueado toda la producción de 3nm de TSMC este año, parece probable que el nuevo chip se vuelva a producir utilizando el nodo de proceso de 4nm de TSMC, que en realidad es un nodo mejorado de 5nm.

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Tenga en cuenta que la versión especial del Snapdragon 8 Gen 2 hecha para teléfonos Galaxy presenta un núcleo X-3 de alto rendimiento con un 15 % de sobrerreloj a 3,36 GHz. Suponemos que el Snapdragon 8 Gen 3 para Galaxy también vendrá con un núcleo X-4 de alto rendimiento overclockeado.
Todavía nos quedan meses antes de que este componente vea la luz del día, por lo que podríamos ver aún más especificaciones rumoreadas en el futuro. Manténganse al tanto.

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